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RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Número da peça RN2969FE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 8404 pcs
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Número da peça RN2969FE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 8404 pcs
Ficha de dados RN2967FE-69FE
Foto do Produto RN2969FE(TE85L,F).jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor ES6
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Power - Max 100mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-563, SOT-666
Outros nomes RN2969FE(TE85LF)TR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 200MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
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