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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Número da peça RN2705JE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 205933 pcs
Preço de Referência
(em dólares americanos)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
$0.209$0.15$0.117$0.088
250 pcs500 pcs1000 pcs 
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Product parameter

Número da peça RN2705JE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 205933 pcs
Ficha de dados RN2701JE-06JE
Foto do Produto RN2705JE(TE85L,F).jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor ESV
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Power - Max 100mW
Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete SOT-553
Outros nomes RN2705JE(TE85LF)CT
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 200MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
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