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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTB123TS,126

PDTB123TS,126

NXP Semiconductors / Freescale

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Número da peça PDTB123TS,126
Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrição TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 8178 pcs
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Número da peça PDTB123TS,126
Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrição TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 8178 pcs
Ficha de dados PDTB123T Series
Foto do Produto PDTB123TS,126-001.jpg , PDTB123TS,126-002.jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-92-3
Série -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Power - Max 500mW
Embalagem Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes 934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
Tipo de montagem Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 500mA
Número da peça base PDTB123
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